公共政策網路參與平臺

年計畫經費

465,000(千元)

隸屬專案

前瞻基礎建設計畫(數位建設)

計畫摘要

分項一、高階分析儀器的自研、自製與自用
1.完成資料分析
2.完善基礎設施工作室，協助發展自研自製高階儀器
3.與產業界洽談原型機商業化，以籌設儀器研發服務公司(RSC)

分項二、支援產業創新之關鍵儀器設備與服務平台
1.優化及提昇3D封裝用曝光機設備製程能力及應用
2.達到與國際一流業界封裝廠接軌的應用規格，建置高速、低功耗、薄型 化3D多功能異質整合晶片
3.導入半導體級原子層蝕刻設備，開發及完成高功率晶片封裝展示場域

年度目標

分項一、高階分析儀器的自研、自製與自用
1.完成儀器市場、智財及人才資料分析
2.完善基礎設施工作室，協助發展自研自製高階儀器
3.與產業界洽談原型機商業化，以協助籌設儀器研發服務公司(RSC)
4.針對可商業化的自研自製儀器做市場分析
5.配合三個實驗室，協助發展新儀器
6.促成儀器公司的成立，以達到將原型機商業化

分項二、支援產業創新之關鍵儀器設備與服務平台
1.完成自研自製物聯網、人工智慧等技術之高階封裝設備 (先進封裝用之曝光設備及蝕刻設備)，並以深厚之半導體製程能力協助設備升級至具產業價值
2.建置高階儀器自製設備團隊與環境，推動自製設備研發平台與產學研發聯盟，將自製設備導入先進封裝示範生產線與優勢產業生產場域進行驗證測試，優化自製設備與推廣招標

重要執行成果

分項一、高階分析儀器的自研、自製與自用：
1.完成離子遷移譜儀之機構製作及組裝。
2.參與第六十七屆美國質譜年會，並發表部分研發成果。
3.新增二組團隊訪談並且與關鍵目標客戶(early adaptor)之聯絡與拜訪。
4.6/27完成「與創投有約策略規劃會議」，與會之創投業師共四位、研發團隊三組。

分項二、支援產業創新之關鍵儀器設備與服務平台：
1.已完成曝光機系統之智慧調控UV-LED光源模組的設計與製造。
2. 以3D TSV封裝方式整合VCO及被動元件，目前進行interposer TSV製作，後續進行Cu plating。
3. 前瞻計畫ALE製程驗證工作，AlGaN薄膜蝕刻，以O2:ICP 500W、Forward power 20W; BCl3:ICP 500W、Forward power 20W進行4步驟15 cycles ALE變換秒數10-30S ，獲得蝕刻深度約3.865-5.2nm。
4. 目前已具備開啟電阻為20 Ω-mm的元件製作能力，效能為輸出18 A的電流及600V的崩潰電壓，與imec、台積電等世界頂尖團隊同水準的E-mode GaN 元件平台服務。