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主(協)辦單位 科技部

自研自製高階儀器設備與服務平台(108年辦理情形)

開始於2017-09-01結束於2020-12-31

目前進度

啟動囉
106/09/01
  (第2年 / 4年)
   
   
   
預計完成
109/12/31
計畫類別
科技發展
管制級別
部會管制
管考週期
月報

隸屬專案

前瞻基礎建設計畫(數位建設)

計畫摘要

1060885:分項一、高階分析儀器的自研、自製與自用1.調查市場需求、人才、智財及資料分析2.建立基礎設施,包含機械和電子工作室、高階質譜儀實驗室、高階光電分析儀實驗室等 3.原型機開發
持續進行原型機1的設計與製作;
持續進行原型機2 的規劃與設計(包含客製化設備與材料之設計與採購);
進行原型機3的規劃與設計(包含客製化設備與材料之設計與採購)

1060885:分項二、支援產業創新之關鍵儀器設備與服務平台1.完成國內自製3D封裝製程曝光機設備驗證2.以3D封裝製程曝光機進行先進3D多功能智慧型晶片異質封裝製程驗證3.完成國內自製原子層蝕刻設備驗證
曝光機全機系統組裝、測試與優化

年度目標

分項一、高階分析儀器的自研、自製與自用
1.完成儀器市場、智財及人才資料分析
2.完善基礎設施工作室,協助發展自研自製高階儀器
3.與產業界洽談原型機商業化,以協助籌設儀器研發服務公司(RSC)
4.針對可商業化的自研自製儀器做市場分析
5.配合三個實驗室,協助發展新儀器
6.促成儀器公司的成立,以達到將原型機商業化

分項二、支援產業創新之關鍵儀器設備與服務平台
1.完成自研自製物聯網、人工智慧等技術之高階封裝設備 (先進封裝用之曝光設備及蝕刻設備),並以深厚之半導體製程能力協助設備升級至具產業價值
2.建置高階儀器自製設備團隊與環境,推動自製設備研發平台與產學研發聯盟,將自製設備導入先進封裝示範生產線與優勢產業生產場域進行驗證測試,優化自製設備與推廣招標

重要執行成果

分項一、高階分析儀器的自研、自製與自用:
1.完成離子遷移譜儀之機構製作及組裝。
2.參與第六十七屆美國質譜年會,並發表部分研發成果。
3.新增二組團隊訪談並且與關鍵目標客戶(early adaptor)之聯絡與拜訪。
4.6/27完成「與創投有約策略規劃會議」,與會之創投業師共四位、研發團隊三組。

分項二、支援產業創新之關鍵儀器設備與服務平台:
1.已完成曝光機系統之智慧調控UV-LED光源模組的設計與製造。
2. 以3D TSV封裝方式整合VCO及被動元件,目前進行interposer TSV製作,後續進行Cu plating。
3. 前瞻計畫ALE製程驗證工作,AlGaN薄膜蝕刻,以O2:ICP 500W、Forward power 20W; BCl3:ICP 500W、Forward power 20W進行4步驟15 cycles ALE變換秒數10-30S ,獲得蝕刻深度約3.865-5.2nm。
4. 目前已具備開啟電阻為20 Ω-mm的元件製作能力,效能為輸出18 A的電流及600V的崩潰電壓,與imec、台積電等世界頂尖團隊同水準的E-mode GaN 元件平台服務。

自研自製高階儀器設備與服務平台
108年實際執行趨勢圖
 年累計執行進度(%)  年計畫經費達成率(%)

年累計預定進度(A)(%)

年累計實際進度(B)(%)

進度比較(B-A)(百分點)

15.33

15.72

0.39

年計畫經費(C)(千元)

年累計執行數(D)(千元)

年計畫經費達成率(D/C*100%)(%)

33,801.121

9,818.275

29.05

註1、年計畫經費達成率=截至目前之年累計執行數/本年度年計畫經費*100%
註2、本頁面圖表配合計畫管制週期進行更新調整,若管制週期為季報或半年報,可能出現部分月份為空白之情形。
註3、部分計畫之推動未編列年計畫經費,可能造成年計畫經費達成率為0的情形。

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