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計畫核定情形

自研自製高階儀器設備與服務平台：行政院107年08月30日院臺科會字第1070187333H號

總計畫經費

495,000(千元)

落後原因分析

無。

機關因應對策

無。

隸屬專案

前瞻基礎建設計畫(數位建設)

計畫摘要

1060885：分項二、支援產業創新之關鍵儀器設備與服務平台：1. 完成國內自製 3D 封裝製程曝光機設備驗證。2. 以 3D 封裝製程曝光機進行先進 3D 多功能智慧型晶片異質封裝製程驗證。3. 完成國內自製原子層蝕刻設備驗證。
原子層蝕刻系統製程蝕刻驗證

年度目標

分項二、支援產業創新之關鍵儀器設備與服務平台
1.完成自研自製物聯網、人工智慧等技術之高階封裝設備 (先進封裝用之曝光設備及蝕刻設備)，並以深厚之半導體製程能力協助設備升級至具產業價值
2.建置高階儀器自製設備團隊與環境，推動自製設備研發平台與產學研發聯盟，將自製設備導入先進封裝示範生產線與優勢產業生產場域進行驗證測試，優化自製設備與推廣招標

重要執行成果

1. 已完成國內首部步進式曝光機原型，達成 RDL 2/2 µm 與 TSV 直徑 6.5 µm 製程 (深寬比10:1)。並建構關鍵模組小批量生產資料庫 (論文、專利與技術報告)，供應技術保存與本土設備商承接發展根基。
2. 完成異質整合封裝用薄型晶圓 (10μm) 與國際指標性設備廠規格相當，並完成 TSV 異質整合氣體感測模組與 TSV 異質整合封裝薄型晶圓展示，實現先進元件、功率元件及感測器朝向更微小、多功能及具智慧運算的發展目標。
3. 協助交通大學奈米中心委託進行 Si、SiOx、SiN 蝕刻比較，已降低電源瓦數，並完成兩批測試，目前樣品送交通大學進行後續量測。
4. 進行 RIE/Thermal ALE 雙模式製程技術開發，並成功將 Si/Ge 結構層中 Ge 犧牲層完全蝕刻，達成 GAA 架構製程驗證目標。
5. 提升高功率 GaN 元件製程服務平台能力，可提供微型高效率節能轉接器 (模組體積縮小 30%、效率達 95% 以上) 開發技術，並驗證小型化轉接器應用於電動車馬達。