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計畫核定情形

自研自製高階儀器設備與服務平台：行政院107年08月30日院臺科會字第1070187333H號

總計畫經費

495,000(千元)

落後原因分析

無。

機關因應對策

無。

隸屬專案

前瞻基礎建設計畫(數位建設)

計畫摘要

1060885：分項二、支援產業創新之關鍵儀器設備與服務平台：1. 完成國內自製 3D 封裝製程曝光機設備驗證。2. 以 3D 封裝製程曝光機進行先進 3D 多功能智慧型晶片異質封裝製程驗證。3. 完成國內自製原子層蝕刻設備驗證。
溫度調變原子層蝕刻製程開發及系統驗證

年度目標

分項二、支援產業創新之關鍵儀器設備與服務平台
1.完成自研自製物聯網、人工智慧等技術之高階封裝設備 (先進封裝用之曝光設備及蝕刻設備)，並以深厚之半導體製程能力協助設備升級至具產業價值
2.建置高階儀器自製設備團隊與環境，推動自製設備研發平台與產學研發聯盟，將自製設備導入先進封裝示範生產線與優勢產業生產場域進行驗證測試，優化自製設備與推廣招標

重要執行成果

分項二、支援產業創新之關鍵儀器設備與服務平台：
1. 針對對準式曝光系統、步進式曝光系統與DI直曝式系統，已分別驗證前二設備原型之效能，皆符合設計規格，第三項則已進入最後測試階段，將可實現產業出海口。此外，亦已完成產業市場需求並規畫計畫第二期程之重點研發方向。
2. 在異質元件整合TSV Cu CMP部份，初步開發已可達~0.2um之dishing。在micro-bump製程部份，為引入underfill製程開始進行厚膜光阻製程，規劃進行~25um高度u-bump製程。
3. ALE系統，12/13已完成朗穆爾探針採購驗收工作，安裝至腔體測試電/離子訊號，已可正常使用，近期將測試所有電漿之電離子訊號，以供製程參考。
4. 自研自製之Si蝕刻選擇比> 25、表面粗糙度< 1 nm、原子級蝕刻深度均勻性>95%，相關成果已展出於2019 SEMICON Taiwan台灣國際半導體展。